1. 高压驱动电路
任何使用交流市电的电器，在安规审核时都会过高压测试。主要是防止产品对外漏电，引发事故；对电路内部则是考虑承受突波电压的冲击能力。
LED本身是低压驱动，但其输入电源是交流市电，所以独立使用的LED交流转直流驱动电路是要接受耐高压测试的。
使用安规通过的隔离式交流输入LED驱动电路，输出为48V以下低压直流；灯具（或者光源）的部分就可以视为低压电器，不需要另外做高压检测。
2. 高压驱动器
用高压灯带
1、高压灯带和低压灯带两者主要在安全、安装、价格、包装和使用寿命这几个方面的区别；
2、安全：高压LED灯带采用的220V的电压工作，属于危险电压，在一些风险场合应用存在安全隐患；低压LED灯条是在直流12V的工作电压下工作，属于安全电压，可应用于各种场合，对人身没有任何危险性；
3、安装：高压LED灯条安装比较简单，可以直接用高压的驱动器来带动，一般工厂直接可以配置好，接通220V的电源就可以正常工作。而低压LED柔性灯带的安装要在灯带的前面安装直流电源，相对来说在安装时相对比较复杂；
4、价格：如果单从两种灯带来看，LED灯带价格差不多，但是从整体成本来衡量就不一样了，因为高压LED灯带配的是高压的电源，一般一个电源可以带30~50米LED柔性灯条，而且，相对来说高压电压成本比较低廉。而低压LED灯带要外配直流电源，一般1米60珠5050的灯带的功率大致是12~14W，也就意味着每米灯带要配15W左右的直流电源，这样低压LED灯带的造价成本就会提高很多，大大的高出了高压LED灯带。因此从整体成本来看，低压LED灯价格比高压LED灯价格要高；
3. 高压驱动电路原理
工作原理：高采用高频振荡器产生约3000V高频电压进行引弧。这时焊接电源空载电压只需65V左右即可高频振荡器由升压变压器B1、火花隙放电器P、振荡电容Ck、振荡电感Lk以及高频耦合变压器B组成。高频振荡器与焊接变压器可以串联使用。这时B2次级是焊接主回路的一部分，Cf 为高频旁路电容，既可提高引弧效果，又能避免高频窜人焊接变压器。
4. 高压驱动电路接线图
常见的变压器绕组有二种接法，即“三角形接线”和“星形接线”
5. 高压电驱动系统
逆变器与驱动电机之间的高压电主要存在形式是交流高压。
交流高压主要分布电气控制的主电路上，如接触器、热继电器等，与驱动电机之间以及充电接口与车载充电器之间。
6. 高压驱动电路图
交流高压主要分布电气控制的主电路上，如接触器、热继电器等，与驱动电机之间。
7. 高压驱动电路上电顺序
荣威ei5高压上电工作原理：
使用电火花在规定的时间点火,而且要有足够的电压,就必须设置一套高压电路,也就是点火系。 点火系重要部件就是点火线圈。点火线圈之所以能将车上低压电变成高电压,是由于有与普通变压器相同的形式,初级线圈与次级线圈的匝数比大。但点火线圈工作方式却与普通变压器不一样,普通变压器是连续工作的,而点火线圈则是断续工作的,它根据发动机不同的转速以不同的频率反复进行储能及放能。
当初级线圈接通电源时,随着电流的增长四周产生一个很强的磁场,铁芯储存了磁场能;当开关装置使初级线圈电路断开时,初级线圈的磁场迅速衰减,次级线圈就会感应出很高的电压。初级线圈的磁场消失速度越快,电流断开瞬间的电流越大,两个线圈的匝比越大,则次级线圈感应出来的电压越高。
8. 高压驱动电路原理图
半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有用于制作高压栅驱动电路的高压岛；
高压结终端，所述高压结终端包围所述高压岛，所述高压结终端包括形成在所述高压岛周围的耗尽型MOS器件，所述耗尽型MOS器件的栅极和漏极短接，所述耗尽型MOS器件的源极与高侧电源端连接；
双极晶体管，所述双极晶体管的集电极和基极短接并与低侧电源端连接，所述双极晶体管的发射极与所述耗尽型MOS器件的栅极连接。
可选地，所述高压岛呈四边形，所述耗尽型MOS器件形成在所述高压岛的相邻的三个边上。
可选地，在所述高压岛的第四边上形成有高压电平移位器件。
可选地，所述耗尽型MOS器件包括：
形成在所述半导体衬底上相邻的具有第一导电类型的第一阱区和具有第二导电类型的第二阱区；
形成在所述第一阱区中的、具有第一导电类型的有源区；
形成在所述第二阱区中的、具有第二导电类型的漏极和第三阱区；
形成在所述第三阱区中的、具有第二导电类型的源极；
形成在所述半导体衬底中，且位于所述具有第一导电类型的有源区、所述具有第二导电类型的漏极和所述具有第二导电类型的源极之间的隔离结构；
形成在所述具有第二导电类型的漏极和所述具有第二导电类型的源极之间的隔离结构上的多晶硅场板。
可选地，所述耗尽型MOS器件还包括：
形成在所述第一阱区和所述半导体衬底之间的具有第一导电类型的第一埋层；
形成在所述第三阱区和所述半导体衬底之间的具有第二导电类型的第二埋层。
可选地，所述耗尽型MOS器件还包括：
覆盖所述第一导电类型的有源区、所述具有第二导电类型的漏极、所述具有第二导电类型源极和所述多晶硅场板的第一介质层；
形成在所述第一介质层中的、填充有导电材料的接触孔；
通过所述接触孔与所述具有第一导电类型的有源区、所述具有第二导电类型的漏极、所述具有第二导电类型的源区和所述多晶硅场板连接的金属引出；
其中，所述具有第二导电类型的漏极和所述多晶硅场板连接至同一金属引出。
可选地，所述双极晶体管形成在所述半导体衬底中位于所述高压结终端之外的区域中。根据本发明的集成电路芯片，由于在芯片内部的高压结终端形成耗尽型MOS器件，其可以承受高压，因此可以用作自举器件，这样使得形成自举电路时无需使用外接自举二极管，提高了芯片的集成度，简化了外围电路，从而降低了成本，提高了可靠性。