1. 可控硅和固态继电器控制电加热
答：三相可控硅加热控制的方法是：
1. 调节移相触发加热晶闸管的导通角，电压随之变化，从而调节加热功率；
2. 过零触发加热通常被称为固态继电器。在加热过程中，电压不变，但实际上是一个脉冲开关信号。
一般来说，都是选择调节移相触发加热，因为移相触发器对电网频率的干扰在高功率时尤为突出，不过对于一般的工业场合来说这不算什么。根据实地经验来看，只要不在加热器同侧使用对电网频率要求高精度的仪器。
2. 可控硅控制加热电路
可控硅又叫晶闸管,它有三个引脚,一个是阳极A 一个是阴极K 另一个是栅极(控制极)G 使用时阳极与阴极之间加正电压,并接入负载,注意负载电流不要大于管子的额定电流,否则将会烧坏管子.正常情况下管子是阻断状态,当控制极与阴极之间加上一定的控制脉冲电压时,负载电流大于擎住电流时,晶闸管就开始导通,只有当负载电流小于晶闸管的维持电流时,晶闸管才能恢复阻断状态.
交流电在某个瞬间是有极性的,当你珐花粹拘诔饺达邪惮矛给栅极加脉冲时,只有交流电的正半周晶闸管才能导能,当当流电过零变负半周时,晶闸管将关断.
双向晶闸管有三种触发方式,它在电压过零时管子也会关断.
所以不能用交流电做实验,应该用直流电来做,负载用小灯泡就可以,栅极脉冲电压不易过高,几伏就可以了,以防使管子击穿
3. 固态继电器控制加热电路
继电线啳两端温控电路两端，继电器蛹点接在加热器或热电偶
4. 可控硅和固态继电器的区别是什么
晶闸管不等于固态继电器，固态继电器内部有晶闸管，
并有使用单向晶闸管或双向晶闸管的区别，另外固态继内部还包含触发电路。
晶闸管也叫可控硅，晶闸管分单向晶闸管，和双向晶闸管
也叫单向可控硅，双向可控硅。
5. 可控硅和固态继电器控制电加热的区别
是可控硅耐用，控制和保护电路设计合理且给予充裕的散热，属于半永久性元件。“省电”不对，由于可控硅有导通压降，负载电流越大，消耗功率越大，因此相比电磁继电器的触点是相当的浪费电。提问者如果是比较的可控硅和固态继电器，那算我去打酱油~
6. 固态继电器和可控硅控制加热哪个好
温控精度要到0.1 那要选用好的温控仪 如果要调压精度达到0.1 那得用调压模块了 固态继电器肯定比可控硅要方面 不用触发板 直接接就可以，可能价钱要高点
7. 固态继电器控制加热器
采用温控表+固态继电器控制。温度控制要求不高采用交流接触器也可以
8. 控温用可控硅好还是固态继电器!
问的很简练，且看似简单。而答的有三两句，有长篇大论甚至还用了两贴才算了事，可谓五花八门呀。一句问，成百句答。答清楚了吗？到底可控硅和固态继电器的区别是什么？
可控硅可以是单向的，也可以是双向的，可以过零触发也可以移相触发，固态继电器同样是如此的。所以，他们的用途、形式都是一样类型产品，从这一点上（使用的形式、性质角度）没有区别，因为固态继电器也是可控硅做的（三极管的固态继电器除外）。那么他们的区别到底在那呢？
总不会一个东西，两个名字吧？
他们的区别就在于，可控硅就是可控硅，固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。这就是区别。 现在有一种叫“智能化可控硅模块”，他把可控硅元件、同步触发驱动做在一个模块里了，这种可控硅与固态继电器已经无法区分了。当然，从形状上可以区分。 1、工作原理 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。
当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向反馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化。 状态说明 从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位 2、控制极有足够的正向电压和电流 两者缺一不可 维持导通 1、阳极电位高于阴极电位 2、阳极电流大于维持电流 两者缺一不可 从导通到关 1、阳极电位低于阴极电位 2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可 2、基本伏安特性 （1）反向特性 当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但J1、J2结反偏。
此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，特性发生了弯曲，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。
此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
（2）正向特性 当控制极开路，阳极上加上正向电压时，J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，特性发生了弯曲，弯曲处的是UBO叫，正向转折电压 阳极加正向电压 由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。
进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似， 3、触发导通 在控制极G上加入正向电压时因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。