1. 逆变器上用什么可控硅
如果说用管子少，可控硅比用场效应管发热量小，比场效应管转换效率高的话，我情愿用可控硅管。
可控硅能够瞬时导通，接入线圈变压器，能不能提高功率或者转换效率我不确定。
不管是哪种可控硅都能做成。
只有想不到的，没有做不到的。
结合所有可控硅和场效应管的优缺点，哪个胜出用哪个。
2. 逆变器用什么可控硅好
同样电流电压参数的kk可控硅可以代替kp可控硅。kk管允许的开关速度快，一般用在几百Hz~几千Hz频率的线路里（如可控硅逆变器），kp管一般用在工频50Hz频率下（如可控硅整流、交流调压）。
3. 逆变器上用什么可控硅比较好
1、在可靠性方面，工频逆变器要优于高频逆变器
工频逆变器采用晶闸管(SCR)整流器，该技术经过半个多世纪的发展和革新，已经非常成熟，其抗电流冲击能力非常强。由于SCR属于半控器件，不会出现直通、误触发等故障。相比而言，高频逆变器采用的IGBT高频整流器虽然开关频率较高，但是IGBT工作时有严格的电压、电流工作区域，抗冲击能力较低。因此在总体可靠性方面，IGBT整流器比SCR整流器低。
2、在环境适应性方面，高频逆变器要优于工频逆变器
高频逆变器是以微处理器作为处理控制中心，将繁杂的硬件模拟电路烧录于微处理器中，以软件程序的方式来控制UPS的运行。因此，体积、重量等方面都有明显的降低，噪音也较小，对空间、环境影响小，因此比较适合对可靠性要求不太苛刻的办公场所。
3、在负载对零地电压的要求方面，工频逆变器要优于高频逆变器
大功率三相高频逆变器零线会引入整流器并作为正负母线的中性点，这种结构就不可避免地造成整流器和逆变器高频谐波耦合在零线上，抬升零地电压，造成负载端零地电压抬高，很难满足IBM、HP等服务器厂家对零地电压小于1V的场地需求。另外，在市电和发电机切换时，高频逆变器往往因零线缺失而必须转旁路工作，在特定工况下可能造成负载闪断的重大故障。
4. 可控硅逆变器的调试方法
变频调节是调节升压频率，可以控制逆变器的功率输出，混频是调节高压脉冲输出间隔，即机内可控硅触发间隔
5. 可控硅逆变器的工作原理
中频炉电源里的一个可控硅老是被烧坏原因：
1、中频炉逆变可控硅水冷套内断水或散热效果下降更换水冷套。有时观察水冷套的出水量和压力是足够的，但经常由于水质问题，在水冷套的壁上附着一层水垢，由于水垢是一种导热性级差的物体，虽然有足够的水流量流过，但因为水垢的隔离是其散热效果大大降低。其判断方法是：将功率运行在较低于该过流值的功率下约十分钟，迅速停机，停机后迅速用手触摸可控硅元件的芯部，若感觉到烫手，则该故障是由此原因引起的。
2、槽路连接导线有接触不良和断线情况检查槽路连接导线，根据实际情况酌情处理。当槽路连接导线有接触不良或断线情况时，功率升到一定值后会产生打火现象，影响了设备的正常工作，从而导致设备保护动作。有时因打火时会在可控硅两端产生瞬时过电压，如果过压保护动作来不及，会烧坏可控硅元件。该现象经常会出现过电压、过电流同时动作。
3、负载对地绝缘降低负载回路的绝缘降低，引起负载对地间打火，干扰了脉冲的触发时间或在可控硅两端形成高压，烧坏可控硅元件。
4、中频炉可控硅在反相关断时，承受反向电压的瞬时毛刺电压过高在中频电源的主电路中，瞬时反相毛刺电压是靠阻容吸收来吸收的。如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛刺电压过高烧坏可控硅。在断电的情况下用万秀表测量吸收电阻阻值、吸收电容容量，判断是否阻容吸收回路出现故障。
5、脉冲触发回路故障在设备运行时如果突然丢失触发脉冲，将造成逆变开路，中频电源输出端产生高压，烧坏可控硅元件。这种故障一般是逆变脉冲形成、输出电路故障，可用示波器进行检查，也可能是逆变脉冲引线接触不良，可用手摇晃导线接头，找出故障位置。
6、设备在运行时负载开路当设备正在大功率运行时，如果突然负载处于开路状态，将在输出端形成高压烧坏可控硅元件。
7、设备在运行时负载短路当设备在大功率运行时，如果负载突然处于短路状态，将对可控硅有一个很大的短路电流冲击，若过电流保护动作不不及保护，将烧坏可控硅元件。
8、保护系统故障（保护失灵）可控硅能否安全，主要是告保护系统来保证的，如果保护系统出现故障，设备稍有一点工作不正常，将危机到可控硅安全。所以，当可控硅烧坏时对保护系统的检查是必不可少的。
9、可控硅冷却系统故障可控硅在工作时发热量很大，需要对其冷却才能保证正常工作，一般可控硅的冷却有两种方式：一种是水冷，另一种是风冷。水冷的应用较为广泛，风冷一般只用于100KW以下的电源设备。通常采用水冷方式的中频设备均设有水压保护电路，但基本上都是总进水的保护，若某一路出现水堵，是无法保护的。
10、电抗器故障电抗器内部打火造成逆变侧的电流断续，也会在逆变输入侧产生高压烧坏可控硅。另外，如果在维修中更换了电抗器，而电抗器的电感量、铁芯面积小于要求值，会使电抗器在大电流工作时，因饱和失去限流作用烧坏可控硅。
6. 可控硅好还是逆变好
只有问IGBT和可控硅的区别的。
区别只有一个，可控硅是单向可控，而变频器上的IGBT是双向可控。可控硅一般用于整流部分，IGBT 可以用于整流也可以用于逆变，用于整流就是附带了电源回馈功能，就是说IGBT可以把 电机拖动所产生的电压，变成近似于电源的波形，然后回馈给电网。如果只用于逆变，那就是普通的变频器
7. 如何用可控硅模块做逆变器
IR型号 ITRMS=55A ITAV=35A VDRM/VRRM>800V 可用我司JCT8055取代