1. 可控硅控制器电源
可控硅调速器是串接在回路中，注意外电源火线接输入端，输出端接电扇。
2. 可控硅电子开关电路
答:逆变器可控硅是双向的。1.指代不同。单向可控硅:是一种可控整流电子元件,能在外部控制信号作用下由关断变为导通。
双向可控硅:是在普通可控硅的基础上发展而成的,不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。
2.结构不同。单向可控硅:具有三个 PN 结的四层结构,由最外层的 P 层、N 层引出两个电极――阳 极 A 和阴极。
3. 可控硅控制电机
当然有影响，可控硅的开关速度影响着电机的转速，可控硅速度越快，电机转速越快，越慢剑姬转速越慢
4. 可控硅控制板
继电器是机械隔离,耐压高,开关速度慢,能够直接驱动负载，适用于开关速度要求不高的场合.
晶体管是开关速度快，寿命长，采用光电隔离，耐压比较小，驱动负载一般要加中间继电器，一般用在精确控制和开关频率高的场合。
晶闸管的我没有见过，有的话应该和晶体管是一类的。
5. 可控硅控制芯片
1、电压击穿
可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏
电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。
3、电流上升率损坏
其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。
4、边缘损坏
其他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
6. 可控硅控制模块
可控硅模块又叫晶闸管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。
自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的。
可控硅模块的优点：体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点
7. 可控电源电路
整流电路按组成的器件可分为不可控电路、半控电路、全控电路三种 1）不可控整流电路完全由不可控二极管组成，电路结构一定之后其直流整流电压和交流电源电压值的比是固定不变的。 2）半控整流电路由可控元件和二极管混合组成，在这种电路中，负载电源极性不能改变，但平均值可以调节。 3）在全控整流电路中，所有的整流元件都是可控的（scr、gtr、gto 等），其输出直流电压的平均值及极性可以通过控制元件的导通状况而得到调节，在这种电路中，功率既可以由电源向负载传送，也可以由负载反馈给电源，即所谓的有源逆变。