1. 可控硅整流器作用
可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。
它们共同的作用就是可以用较小的电流（或电压）去控制较大的电流，同时都具有单向导电性，均可作为整流和逆变元件使用， 但相比之下，可控硅的应用范围相对狭窄，但因为这些器件中，可控硅是最廉价的，工艺成熟，可做成高压、大电流，所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。
2. 可控硅整流器工作原理
UPS电源系统由4部分组成：整流、储能、变换和开关控制。其系统的稳压功能通常是由整流器完成的，整流器件采用可控硅或高频开关整流器，本身具有可根据外电的变化控制输出幅度的功能，从而当外电发生变化时，输出幅度基本不变的整流电压。
3. 什么俗称可控硅整流管
工作模式不同。
IGBT 的损 耗占的比例较大,因为 IGBT 的导通压降大于可控硅的导通压降,通过 IGBT 的 电流又是全部电炉电流,并且 IGBT 的数量较多。
4. 可控硅整流模块
可控硅整流器件是一种非常重要的功率器件，可用来做高电压和高电流的控制。可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。可控硅器件与双极型晶体管有密切的关系，二者的传导过程皆牵涉到电子和空穴，但可控硅的开关机制和双极晶体管是不同的，且因为器件结构不同，可控硅器件有较宽广范围的电流、电压控制能力。“一触即发”。
5. 可控硅整流器与高频整流器的区别
1、准确的说二极管和单向可控硅都可以整流，首先整流定义：将交流变成直流叫整流， 2、一般性整流电路，没有特殊要求时，用二极管整流，需要整流开关控制时用单向可控硅来进行开关控制，需要调节输出能量时需要调节可控硅的导通角来控制能量 3、二极管与可控硅都有工作电流、导通压降、反向击穿电压，大小都有 4、逆变定义：将直流变成交流叫逆变，逆变电路是由很多器件组成，不是哪个单独器件能完成。