1. igbt模块和可控硅的区别
IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。受元件制造工艺和工作原理等影响，前者可在较高频率下工作（最高25KHz左右），后者大多在5KHz以内，这个是前者比后者的优点。
3、前者相比的缺点是成本高，制造工艺复杂，在高压大电流元件的制造上，还达不到可控硅的能力，并且在抗过载能力上远远不及可控硅。
4、随着制造工艺的进步，短路保护的日趋完善，前者在元件成本上已经大大下降，在很多场合与可控硅相比价格完全可以接受，并且由于控制灵活方便，能取消可控硅电路的关断电路等，在很多场合完全可以替代可控硅，并且性能更好。
扩展资料：
1、可控硅是可控硅整流元件的简称,亦称为晶闸管。是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
2、可控硅具有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
3、IGBT，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
4、GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2. igbt与可控硅的区别
先说普通整流吧，一般是二极管整流或是可控硅整流，即使是用全波桥式整流，由于整流后面要加入大量的滤波电容，而二极管或可控硅都是在为后面的电容冲电提供服务，只有电容上的直流电低于二极管或可控硅送过来的整流后的电压值时，二极管或可控硅才导通，电容的冲放电的特性就决定了电源侧的电压与电流波形不能保持同步，从设计和使用角度，希望滤波电容越多越好，使直流电尽可能的平滑，但这样就造成大量谐波污染电网，设备的输入功率因数也非常低。
而IGBT整流，加入了复杂的控制电路，一般是用二极管全桥与IGBT相结合的主电路，通过对IGBT的控制，控制IGBT的导通与关闭，模拟出一个正弦交流电流的波形，而且与输入电压波形同相位，这样就把功率因数近似提高到1，大量降低了谐波的产生，所以被越来越多的使用。
3. igbt 可控硅 区别
用igbt，一般的变频器采用交直交模式，从交流到直流的过程，一般只用单向导通原理，不受控。直流到交流过程，用的是igbt或者igct，是一种高速开关设备，类似于pwm模式，调谐出正玄波。
一般软起动器用的是可控硅，只在正向半波的后半段导通，输出电压越高，越早导通，导通时间越长，到反向半波自动关闭。
也有拿igbt做的可控硅，启动效果会更好
4. igbt和可控硅区别
IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。
可控硅是可控硅整流元件的简称,亦称为晶闸管。是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
5. igbt和igbt模块
igbt是逆变模块中的一个重要功率元件，除了有IGBT外还要有门极触发电路，控制单元，接口模块，测温元件，电流互感器，各种排线光纤，铜排，稳压电容器，箝位电容，充电回路等等很多其他部分才能组成一个完整的可用的逆变模块。
6. igbt与igbt模块的区别
可控硅属于第一代逆变焊机。逆变焊机包括可控硅系列焊机。
第一代逆变：可控硅，也就是晶体闸流管，简称晶闸管。工作频率在2KHZ~3KHZ，工作频率较低，如KR 系列气保焊、ZX5系列焊条手弧焊焊机都采用的晶闸管机芯。
第二代逆变：晶体管。功率因数较低，耗电量较大，输出参数较为稳定。常用于机器人自动焊接等高端设备，自从IGBT第四代逆变出现，目前应用较少。
第三代逆变：MOS-FET场效应管。
工作频率100KHZ~200KHZ，场效应管单个耐电流能力较差，需要多个管子串联，其中一只管子爆炸其他全部爆炸，故障率较高。
第四代逆变：IGBT绝缘栅极晶体管。包括 单管IGBT、IGBT模块（双模块等）。
IGBT模块工作频率在20KHZ~30KHZ，单管IGBT可以做到70HKZ，目前某品牌焊机单管IGBT已经有67KHZ的工作频率。IGBT是目前逆变焊机最先进的技术。 交流电变直流电叫整流。 直流电变交流电，叫逆变。
7. igbt芯片和igbt模块的区别
IGBT的主要材料有：
IGBT模块共由7层结构构成，大致可以分成三部分：芯片，DBC和基板。每部分之间由焊锡连接而成。我们知道IGBT是在晶闸管的基础上发展而来，但与传统的晶闸管相比，IGBT模块省去了内部的阴极和阳极金属层，分别由芯片表面引出的焊线及DBC上层铜板代替。
除此之外，原先的镍金属缓冲层也被去掉了，其代价是单个IGBT芯片的容量减少。为了弥补这一缺陷，本文需要在DBC板上安置更多的IGBT芯片。
IGBT模块是由不同的材料层构成，如金属，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模块内部用来改善器件相关热性能的硅胶。他们的热膨胀系数以及热导率存在很大的差异，在器件的工作过程中会出现意想不到的问题。