mos管电流计算公式？

一、mos管电流计算公式？

公式：PD=TJ-TC/RθJC，当功率MOSFET流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD因此，二式联立，可以得到最大的连续漏极电流ID的计算公式：ID=TJ- Tc （1）Ip =Rac●Rps（on）。 T/mx）其中，RDS（ON）为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。

上述的电流是基于最大结温的计算值；事实上，它还要受到封装的限制。在数据表中，许多公司标示的是基于封装限制最大的连续漏极电流、而有些公司标示的是基于最大结温的电流，那么它通常会数据表注释中进行说明，并示出基于封装限制的最大的连续漏极电流。

二、MOS管电流噪音？

应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。

试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。

三、开关电源mos管损坏？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；

四、mos管最大允许电流？

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。

该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。

脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。

五、mos管的电流特性？

MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

电流流向：由漏极d流向源极s。

沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。

MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。

P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

六、mos管开关电源电路原理？

你好，MOS管开关电源电路是一种电路，它使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）作为开关器件。MOS管开关电源电路的工作原理如下：

1. 输入电压：输入电压被施加到开关电路的控制端，即MOSFET的栅极上。

2. MOSFET开关：当输入电压高于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被打开，导通电流从源极流向漏极。

3. 电荷储存：当MOSFET被打开时，电荷被储存在MOSFET的栅极和源极之间的电容中。

4. 关闭MOSFET：当输入电压低于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被关闭，电荷从栅极电容中流回源极，MOSFET不再导通，电路中的电流停止流动。

5. 输出电压：当MOSFET被关闭时，电路中的电荷会被释放，产生一个反向电压，用于驱动负载。

总之，MOS管开关电源电路通过使用MOSFET作为开关器件，将输入电压转换为输出电压。它具有高效率、高速度、低功耗等优点，广泛应用于电源、电动机控制等领域。

七、mos管vds计算公式？

MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*Ron的电压。

八、mos管功率计算公式？

MOS管自身的功率P=VDS*ID，VDS=ID*Rds，Rds是MOS管得导通电阻，可以通过查看芯片手册得知RDS。给mos管两端加上直流电，然后让mos导通，看一下耗电就行了。

九、mos管放大电压还是电流？

mos管放大电流。

MOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

十、mos管漏电流怎么解决？

1、最简单的做法就是交换火线和零线的位置（如将两相插头转180度后再插入插座），这种方法一般很有效。因为有些用电器必须遵循“左零右火”的原则，插反后就会出现外壳漏电的现象。尤其是电脑及打印机等更要严格遵循这个原则。

2、清扫电路板的灰尘，尤其是电源主板的灰尘。因为如果灰尘多了有时就会导电（特别是受潮时），把高压和低压部分连通后外壳就可能带电。这种情况应清理电路板上的灰尘，如果受潮后的灰尘不易除去，则用无水酒精清洗，完了以后用电吹风吹干驱除潮气。

3、如果以上方法都不行，那么最有效的方法就是将外壳接地。把这些电引到地，人就不会被“电”了。