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mos管gs击穿什么原因? mos管击穿原因?

260 2024-08-24 00:56 admin   手机版

一、mos管gs击穿什么原因?

第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又十分小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少数电荷就可在极间电容上构成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。尽管MOS输入端有抗静电的维护措施,但仍需当心对待,在存储和运送中最好用金属容器或许导电资料包装,不要放在易发生静电高压的化工资料或化纤织物中。拼装、调试时,东西、外表、工作台等均应杰出接地。要避免操作人员的静电搅扰构成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或东西在触摸集成块前最好先接一下地。对器材引线矫直曲折或人工焊接时,运用的设备有必要杰出接地。

第二、MOS电路输入端的维护二极管,其导通时电流容限一般为1mA 在可能呈现过大瞬态输入电流(超越10mA)时,应串接输入维护电阻。而129#在初期设计时没有参加维护电阻,所以这也是MOS管可能击穿的原因,而经过替换一个内部有维护电阻的MOS管应可避免此种失效的发生。还有因为维护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使维护电路失去效果。所以焊接时电烙铁有必要可靠接地,以防漏电击穿器材输入端,一般运用时,可断电后使用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

MOS是电压驱动元件,对电压很敏感,悬空的G很容易接受外部搅扰使MOS导通,外部搅扰信号对G-S结电容充电,这个细小的电荷能够贮存很长时刻。在实验中G悬空很风险,许多就因为这样爆管,G接个下拉电阻对地,旁路搅扰信号就不会直通了,一般能够10~20K。

这个电阻称为栅极电阻。效果1:为场效应管供给偏置电压;效果2:起到泻放电阻的效果(维护栅极G~源极S)。榜首个效果好了解,这儿解释一下第二个效果的原理:维护栅极G~源极S:场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少数的静电就能使他的G-S极间的等效电容两头发生很高的电压,如果不及时把这些少数的静电泻放掉,他两头的高压就有可能使场效应管发生误动作,甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,然后起到了维护场效应管的效果。

二、mos管击穿原因?

MOS管被击穿的原因及解决方案如下:

第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。

虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。

组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地。

第二、MOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为1mA在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻,所以这也是MOS管可能击穿的原因,而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。

还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

三、开关电源mos管击穿原因及解决?

1. 电路设计不合理:尤其是高频开关电源,如果电路设计不合理,如电容、电感、二极管等参数选择不当,容易使mos管击穿。

解决办法:重新设计电路,针对mos管的特性进行选择参数,力求让mos管工作在安全边界内。

2. 负载变化大:如果开关电源负载变化较大,如过载或短路,负载品质差,容易使mos管击穿。

解决办法:增加过载保护电路,合理选择负载,确保负载品质可靠。

3. 瞬态高压干扰:由于mos管在开关状态时会产生瞬态高压,如果不能及时去除,积累起来会使mos管击穿。

解决办法:增加反电动势保护电路,减小开关时间,控制开关频率,减小瞬态高压。

4. 温度过高:高温环境下mos管的绝缘击穿电压会降低,容易使mos管击穿。

解决办法:加装散热器,控制mos管工作温度。

5. 其他原因:如电源电压波动、灯泡启动等情况也会造成mos管击穿。

解决办法:加装稳压电路,避免电压波动;加装灯泡启动电路,消除电感电容回路的高压干扰。

四、pfc电路mos管击穿原因?

MOS管击穿的原因及解决方案MOS管被击穿的原因及解决方案如下:

第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中.组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地.

第二、MOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为1mA 在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻,所以这也是MOS管可能击穿的原因,而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生.还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

五、mos管击穿原因及解决?

MOS管被击穿的原因及解决方案如下:

第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。

虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。

组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地。

第二、MOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为1mA在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻,所以这也是MOS管可能击穿的原因,而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。

还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

六、MOS击穿原因?

第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地。

 第二、MOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为1mA 在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻,所以这也是MOS管可能击穿的原因,而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

七、mos管击穿短路的原因分析?

mos管击穿短路原因分析如下:SOA失效(电流失效),既超出MOSFET安全工作区引起失效,分为Id超出器件规格失效以及Id过大,损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

八、MOS管击穿原因是什么?

mos管击穿的原因 一是电压高,即栅极的薄氧化层产生击穿,构成针孔,使栅极和源极间短路,或许使栅极和漏极间短路;

二是功率高,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。当初的mos管没有那末轻易被击穿,尤其是是大功率的vmos,

九、mos管雪崩击穿原理?

当MOSFET漏极存在大电流Id,高电压Vd时,器件内电离作用加剧,出现大量的空穴电流,经Rb流入源极,导致寄生三极管基极电势Vb升高,出现所谓的“快回(Snap-back)”现象,即在Vb升高到一定程度时,寄生三极管V2导通,集电极(即漏极)电压快速返回达到晶体管基极开路时的击穿电压(增益很高的晶体管中该值相对较低),从而发生雪崩击穿。

十、mos管击穿问题分析?

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。

静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。

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