差模抑制比公式？ 中频电源如何抑制故障电流？

一、差模抑制比公式？

共模抑制比（英语：common-moderejectionratio,CMRR）是模拟电路中差分放大器（或者其他电子器件）的一个用于衡量其抑制两端输入信号共模部分的一个参数。在实际应用中，例如，当有用信号为低电压信号且叠加在一个可能较高的电压补偿，或者是相关信息表示为在两个信号的差值时，较高的共模抑制比就十分重要。 理想状态下，一个差分放大器两个输入端分别输入和，输出，这里为差模增益。然而，现实中的差分放大器用下式表示更佳：这里是共模增益，通常情况远小于差模增益。 共模抑制比定义为差模增益与共模增益的比值：其中，为差分放大器的差模增益，为共模增益。 如果使用对数，则共模抑制比可以用分贝值来表示：由于差模增益一般远大于共模增益，共模抑制比是一个正数。 共模抑制比是一个很重要的产品参数，它表示了通过放大器的共模信号的抑制与衰减的情况。其值通常也取决于信号本身的频率，因此严格来说必须表示为一个函数。 抑制共模信号在信号传输中降低噪声信号十分重要。例如，在噪声环境中测量热电偶的阻抗时，环境中的噪声同时输入两个端口，造成一个共模的噪声信号。测量仪器的共模抑制比决定了其对噪声或者补偿的衰减。

二、中频电源如何抑制故障电流？

中频感应加热电源的过电流保护

中频感应加热电源运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流现象。过电流分载和短路两种情况。一般电力电子均同时采用几种过电压保护措施，提高保护的可靠性和合理性。在选择各种保护措施时应注意相互协调。通常，电子电路作为第一保护措施，快速熔断器只作为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器在电子电力启动之后实现保护，过电流继电器在过载时启动。

中频电源采用快速熔断器（简称快熔），这是电力电子装置中最有效，应用最方泛的一种过电流保护措施。

在选择快熔时应考虑：

1、电压等级应根据快熔熔断后实际承受的电压来确定。

2、电流容量应按照其在主电路中的接入方式和主电路连接形式确定。快熔一般与电力半导体体器件串联连接，在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流母线中。

3、快熔的It值应小于被保护器件的允许It值。

4、为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。

快熔对器件的保护方式分为全保护和短保护两种。全保护是指无论过载还是短路均由快熔进行保护，此方式只适用于小功率装置或器件使用裕量较大的场合。短路保护方式是指快熔只要短路电流较大的区域内起保护作用，此方式需与其他过电流保护措施相配合。快熔电流容量的具体选择方式可参考有关的工程手册。

对一些重要的且易发生短路的晶闸管设备，或者工作频率较高，很难用快熔保护的全控型器件，需要采用电子电路进行过电流保护。除了对电动机起动时的冲击电流等变化较慢的过电流可以用控制系统本身调节器进行对电流的限制之外，需设置专门的过电流保护电子电路，检测到过流之后直接调节触发，驱动电路，或者关断被保护器件。

此外，常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，这种措施对器件过电流的响应最快。

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三、共模抑制比计算公式？

共模干扰的共模抑制比公式：共模抑制比CMRR是差模电压放大倍数Aud与共模放大被数Auc的绝对值之比CMRR=│Aud/Auc│或者CMR=20lg│Aud/Auc│(dB)

四、电源谐波的危害及抑制方法？

电源谐波会对电气设备产生一定的危害，有可能导致设备损坏或缩短设备使用寿命 主要原因：谐波输入功率的增加和谐波输出功率的增大，导致设备的电流变大或者电压变小，从而影响整个电力系统的稳定性和安全性抑制方法： 采用三相全波整流电路，减小电源输入谐波 使用low Pass滤波器来衰减电源输入谐波 减小电源的谐波输出功率，这样可以减少谐波电流 4）在某些情况下，可以增加回路电感和电容来产生相互抵消的谐波，以达到抑制谐波的目的

五、共模抑制比是负数还是正数？

正数

共模抑制比定义为差模增益与共模增益的比值： 其中，Ad为差分放大器的差模增益，Acm为共模增益。 如果使用对数，则共模抑制比可以用分贝dB值来表示： 由于差模增益一般远大于共模增益，共模抑制比是一个正数。

信号接入差分放大器后的计算 理想状态下，共模增益Acm为“零”，在一个差分放大器两个输入端分别输入V+和 V-，输出的理想值为 V0=Ad (V+ - V- )，这里Ad为差模增益。然而，现实中共模增益Acm不为零，差分放大器处理后的信号V0应该用以下公式表达： 这里Acm是共模增益，通常情况远小于差模增益

六、共模抑制比的分母是啥？

为了说明差分放大电路抑制共模信号及放大差模信号的能力，常用共模抑制比作为一项技术指标来衡量，其定义为放大器对差模信号的电压放大倍数Aud与对共模信号的电压放大倍数Auc之比，称为共模抑制比，英文全称是Common Mode Rejection Ratio，因此一般用简写CMRR来表示，符号为Kcmr，单位是分贝db。差模信号电压放大倍数Aud越大，共模信号电压放大倍数Auc越小，则CMRR越大。

七、共模抑制比是什么意思？

共模抑制比（common mode rejection ratio）简写CMRR来表示，符号为Kcmr，单位是分贝db。是指为了说明差分放大电路抑制共模信号及放大差模信号的能力，常用共模抑制比作为一项技术指标来衡量，其定义为放大器对差模信号的电压放大倍数Aud与对共模信号的电压放大倍数Auc之比。

八、开关电源共模干扰抑制方法？

（1）优化电路元器件布置，尽量减少寄生、糯合电容。

（2）延缓开关的开通、关断时间，但这与开关电源高频化的趋势不符。

（3）应用缓冲电路，减缓dv/dt的变化率。变换器中的电流在高频情况下作开关变化，从而在输人、输出的滤波电容上产生很高的dv/dt，即在滤波电容的等效电感或阻抗上感应出干扰电压，这时就会产生常模干扰。故选用高质量的滤波电容（等效电感或阻抗很低）可以降低常模干扰。

九、pmos管的电源抑制比为什么大？

阈值电压和以下几个因素有关：栅电极材料类型，栅氧化层厚度，衬底掺杂浓度，栅氧化层层中的电荷密度等相关，一般工艺中N/P MOS的栅氧化层厚度tox都是相同的，栅电极材料类型也相同，栅氧化层层中的电荷密度也相同，但是衬底浓度却不一样，NMOS直接做在Psub外延P-epi上面，而PMOS 做在P-epi的NWELL上面，所以NWELL的杂志浓度比P-epi跟大一些，衬底浓度越大，对应MOS管的阈值电压也越大，所以一般PMOS的阈值电压都要比NMOS要更大一些。

十、滤波器带外抑制比怎么计算？

滤波器的级数主要根据对带外衰减特殊性的要求来确定。每一阶低通或高通电路可获得-6dB每倍频程（-20dB每十倍频程）的衰减，每二阶低通或高通电路可获得-12dB每倍频程（-40dB每十倍频程）的衰减。

多级滤波器串接时传输函数总特性的阶数等于各级阶数之和。当要求的带外衰减特性为-mdB每倍频程（或mdB每十倍频程）时，则取级数n应满足n大于等于m/6(或n大于等于m/20。