mosfet驱动芯片的选择？ MOSFET全称？

一、mosfet驱动芯片的选择？

mos主要参数考虑电流，以及耐压。比如24v电机，耐压60v以上。电流则取额定电流的 1.5-2.5倍，主要看堵转电流或使用场合来定。往高了取则不会错，最多增加点银子，呵呵。。

二、MOSFET全称？

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。[1]MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

三、mosfet芯片？

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

四、mosfet原理？

MOSFET原理是MOS，FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管。

五、mosfet公式？

在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈,于是会使用下面这个公式去计算峰值栅极电流.

I = C(dv/dt)

实际上,CEI的值比CISS高很多,必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷(QG)指标计算.

QG是MOSFET栅极电容的一部分,计算公式如下:

QG = QGS + QGD + QOD

其中:

QG--总的栅极电荷 140

QGS--栅极-源极电荷 28

QGD--栅极-漏极电荷(Miller)74

QOD--Miller电容充满后的过充电荷

可以看到,为了保证MOSFET导通,用来对CGS充电的VGS要比额定值高一些,而且CGS也要比VTH高.栅极电荷除以VGS等于CEI,栅极电荷除以导通时间等于所需的驱动电流(在规定的时间内导通).

用公式表示如下:

QG = (CEI)(VGS)

IG = QG/t导通 t导通=86+16=102ns QG=140nc 则IG = QG/t导通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)

六、plc开关电源如何选择？

开关电源选型的选型主要考虑以下几个方面：

1、并联或串联工作

当一个电源不能满足所需的电压或电流范围时，可将两个或多个电源(或将同一电源的不同输出)并联或串联起来使用。在这种工作模式下，各电源模块间的稳压和控制电路之间的联系仍然存在，只不过一个电源作为主控方另一个电源作为受控方使用。

2、脉动与噪声

理想的直流电源应提供纯净的直流，然而总有一些干扰存在，比如在开关电源输出端口叠加的脉动电流和高频振荡。这两种干扰再加上电源本身产生的尖峰噪声使电源出现断续和随意的漂移。

3、过载保护

因为一个电源要供给不同的电路使用，这些电路的电流的流量可能是未知的，为了避免对电源的损坏，需设置保护电路的范围。

七、开关电源的功率选择？

输出功率=输出电压X输出电流，这两个参数在电源的铭牌上都应该有的。输入功率=输出功率/效率。效率一般上小于5W的取0.7，5-12W的取0.75。12W-24W的取0.8，24W以上的取0.8-0.92。按上面的方法自己应该可以算得到你的电源的功率是多少了。

八、mosfet电压等级？

MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般2.5Vdc导通的。

九、mosfet工作特点？

电力MOSFET又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET），结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管。

电力MOSFET特点

1、用栅极电压来控制漏极电流

2、驱动电路简单，需要的驱动功率小

3、开关速度快，工作频率高

4、热稳定性优于GTR

5、电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置

十、mosfet是什么？

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。