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smps电源模块(sma接口pcb)

来源:www.xrdq.net   时间:2023-02-05 16:17   点击:109  编辑:admin   手机版

1. sma接口pcb

无线网卡的天线一般都是内置的,在PCB板上切断内置天线(小刀刮开漆,划断就行了,注意别伤着别的元件)

2,需要划断的肯定有二个(具体叫什么名字我不知道,但基本上一粗一细二条金属条)

3,天线的馈线分为芯线(最中间的铜线)和屏蔽层(包住且绝缘芯线的金属)

4,理论上讲芯线接无线网卡上划断的细的,屏蔽线接粗的就行了,焊点要饱满圆滑,不要有虚焊

5,还有就是在网上买SMA接口的线二根,一根接无线网卡(一头SMA接口另一头焊无线网卡),另一根连接无线网卡和天线(二头都有SMA接口)

2. SMP插头

多线程、多核心、SMP、NUMA、乱序执行、分枝技术、控制器。

具体内容是:

多线程

同时多线程Simultaneous Multithreading,简称SMT。SMT可通过复制处理器上的结构状态,让同一个处理器上的多个线程同步执行并共享处理器的执行资源,可最大限度地实现宽发射、乱序的超标量处理,提高处理器运算部件的利用率,缓和由于数据相关或Cache未命中带来的访问内存延时。当没有多个线程可用时,SMT处理器几乎和传统的宽发射超标量处理器一样。SMT最具吸引力的是只需小规模改变处理器核心的设计,几乎不用增加额外的成本就可以显著地提升效能。多线程技术则可以为高速的运算核心准备更多的待处理数据,减少运算核心的闲置时间。这对于桌面低端系统来说无疑十分具有吸引力。Intel从3.06GHz Pentium 4开始,部分处理器将支持SMT技术。

多核心

多核心,也指单芯片多处理器(Chip Multiprocessors,简称CMP)。CMP是由美国斯坦福大学提出的,其思想是将大规模并行处理器中的SMP(对称多处理器)集成到同一芯片内,各个处理器并行执行不同的`进程。这种依靠多个CPU同时并行地运行程序是实现超高速计算的一个重要方向,称为并行处理。与CMP比较,SMT处理器结构的灵活性比较突出。但是,当半导体工艺进入0.18微米以后,线延时已经超过了门延迟,要求微处理器的设计通过划分许多规模更小、局部性更好的基本单元结构来进行。相比之下,由于CMP结构已经被划分成多个处理器核来设计,每个核都比较简单,有利于优化设计,因此更有发展前途。IBM 的Power 4芯片和Sun的MAJC5200芯片都采用了CMP结构。多核处理器可以在处理器内部共享缓存,提高缓存利用率,同时简化多处理器系统设计的复杂度。但这并不是说明,核心越多,性能越高,比如说16核的CPU就没有8核的CPU运算速度快,因为核心太多,而不能合理进行分配,所以导致运算速度减慢。在买电脑时请酌情选择。2005年下半年,Intel和AMD的新型处理器也将融入CMP结构。新安腾处理器开发代码为Montecito,采用双核心设计,拥有最少18MB片内缓存,采取90nm工艺制造。它的每个单独的核心都拥有独立的L1,L2和L3 cache,包含大约10亿支晶体管。

SMP

SMP(Symmetric Multi-Processing),对称多处理结构的简称,是指在一个计算机上汇集了一组处理器(多CPU),各CPU之间共享内存子系统以及总线结构。在这种技术的支持下,一个服务器系统可以同时运行多个处理器,并共享内存和其他的主机资源。像双至强,也就是所说的二路,这是在对称处理器系统中最常见的一种(至强MP可以支持到四路,AMD Opteron可以支持1-8路)。也有少数是16路的。但是一般来讲,SMP结构的机器可扩展性较差,很难做到100个以上多处理器,常规的一般是8个到16个,不过这对于多数的用户来说已经够用了。在高性能服务器和工作站级主板架构中最为常见,像UNIX服务器可支持最多256个CPU的系统。

构建一套SMP系统的必要条件是:支持SMP的硬件包括主板和CPU;支持SMP的系统平台,再就是支持SMP的应用软件。为了能够使得SMP系统发挥高效的性能,操作系统必须支持SMP系统,如WINNT、LINUX、以及UNIX等等32位操作系统。即能够进行多任务和多线程处理。多任务是指操作系统能够在同一时间让不同的CPU完成不同的任务;多线程是指操作系统能够使得不同的CPU并行的完成同一个任务。

要组建SMP系统,对所选的CPU有很高的要求,首先、CPU内部必须内置APIC(Advanced Programmable Interrupt Controllers)单元。Intel 多处理规范的核心就是高级可编程中断控制器(Advanced Programmable Interrupt Controllers–APICs)的使用;再次,相同的产品型号,同样类型的CPU核心,完全相同的运行频率;最后,尽可能保持相同的产品序列编号,因为两个生产批次的CPU作为双处理器运行的时候,有可能会发生一颗CPU负担过高,而另一颗负担很少的情况,无法发挥最大性能,更糟糕的是可能导致死机。

NUMA技术

NUMA即非一致访问分布共享存储技术,它是由若干通过高速专用网络连接起来的独立节点构成的系统,各个节点可以是单个的CPU或是SMP系统。在NUMA中,Cache 的一致性有多种解决方案,一般采用硬件技术实现对cache的一致性维护,通常需要操作系统针对NUMA访存不一致的特性(本地内存和远端内存访存延迟和带宽的不同)进行特殊优化以提高效率,或采用特殊软件编程方法提高效率。NUMA系统的例子。这里有3个SMP模块用高速专用网络联起来,组成一个节点,每个节点可以有12个CPU。像Sequent的系统最多可以达到64个CPU甚至256个CPU。显然,这是在SMP的基础上,再用NUMA的技术加以扩展,是这两种技术的结合。

乱序执行

乱序执行(out-of-orderexecution),是指CPU允许将多条指令不按程序规定的顺序分开发送给各相应电路单元处理的技术。这样将根据个电路单元的状态和各指令能否提前执行的具体情况分析后,将能提前执行的指令立即发送给相应电路单元执行,在这期间不按规定顺序执行指令,然后由重新排列单元将各执行单元结果按指令顺序重新排列。采用乱序执行技术的目的是为了使CPU内部电路满负荷运转并相应提高了CPU的运行程序的速度。

分枝技术

(branch)指令进行运算时需要等待结果,一般无条件分枝只需要按指令顺序执行,而条件分枝必须根据处理后的结果,再决定是否按原先顺序进行。

控制器

许多应用程序拥有更为复杂的读取模式(几乎是随机地,特别是当cache hit不可预测的时候),并且没有有效地利用带宽。典型的这类应用程序就是业务处理软件,即使拥有如乱序执行(out of order execution)这样的CPU特性,也会受内存延迟的限制。这样CPU必须得等到运算所需数据被除数装载完成才能执行指令(无论这些数据来自CPUcache还是主内存系统)。当前低段系统的内存延迟大约是120-150ns,而CPU速度则达到了4GHz以上,一次单独的内存请求可能会浪费200-300次CPU循环。即使在缓存命中率(cache hit rate)达到99.9%的情况下,CPU也可能会花50%的时间来等待内存请求的结束-比如因为内存延迟的缘故。

在处理器内部整合内存控制器,使得北桥芯片将变得不那么重要,改变了处理器访问主存的方式,有助于提高带宽、降低内存延时和提升处理器性制造工艺:Intel的I5可以达到28纳米,在将来的CPU制造工艺可以达到22纳米。

3. SMPS电路

元素符号:Sm

英文名: Samarium

中文名: 钐

体积弹性模量:GPa37.8

热容:J /(mol· K)29.54

sm原子化焓:kJ /mol @25℃ 209

导电性:10^6/(cm ·Ω )0.00956

导热系数:W/(m·K)13.3

熔化热:(千焦/摩尔) 8.630

汽化热:(千焦/摩尔) 166.40

元素在宇宙中的含量:(ppm)0.005

相对原子质量:150.4 常见化合价: +2,+3 电负性: 1.17

外围电子排布:4f6 6s2 核外电子排布: 2,8,18,24,8,2

同位素及放射线:Sm-144 Sm-145[340d] Sm-146[1.03E8y] Sm-147(放 α[1.06E11y]) Sm-148(放 α[7.0E15y]) Sm-149(放 α) Sm-150 Sm-151[90y] *Sm-152 Sm-153[1.92d] Sm-154

电子亲合和能:0 KJ·mol-1

第一电离能:543 KJ·mol-1 第二电离能: 1068 KJ·mol-1 第三电离能: 0 KJ·mol-1

单质密度:7.54 g/cm3 单质熔点: 1072.0 ℃ 单质沸点: 1900.0 ℃

原子半径:2.59 埃 离子半径: 1.08(+3) 埃 共价半径: 1.62 埃

常见化合物:未知

发现人:布瓦博德朗 时间: 1879 地点: 法国

名称由来:

得名于铌钇矿(samarskite)。

元素描述:

银白色稀土金属。

元素来源:

与其他稀土元素共存于独居石砂里。稀土元素在独居石砂里的质量 分数通常为50%,其中钐占2.8%。

元素用途:

用于电子和陶瓷工业。钐容易磁化却很难退磁,这意味着将来在固态元件和超导技术中将会有重要的应用。

一种化工原料,即苯乙烯

sm苯乙烯是用苯取代了一个乙烯的氢原子形成的化合物,乙烯基与苯环的

电子会有共振效应产生。

苯乙烯是石化行业的重要基础原料,主要用于生产苯乙烯系列树脂及丁苯橡胶,也是生产离子交换树脂及医药品的原料之一,此外,苯乙烯还可用于制药、染料、农药以及选矿等行业。

苯乙烯系列树脂的产量在世界合成树脂中居第三位,仅次于PE、PVC。

苯乙烯的均聚物――聚苯乙烯(PS)是五大通用热塑性合成树脂之一,广泛用于注塑制品、挤出制品及泡沫制品3大领域。近年来需求发展增长旺盛。

苯乙烯、丁二烯和丙烯腈共聚而成的ABS树脂是用量最大的大宗热塑 性工程塑料,是苯乙烯系列树脂中发展与变化最大的品种,在电子电器、仪器仪表、汽车制造、家电、玩具、建材工业等领域得到了广泛应用。中国已经成为世界ABS最大的产地和消费市场之一。

丁苯橡胶是丁二烯与苯乙烯共聚,是最大的通用合成橡胶品种,也是最早实现工业化生产的橡胶之一。丁苯胶的年耗用量占合成橡胶的首位。

由苯乙烯还可以生产的丙烯腈-苯乙烯二元共聚物(SAN)、不饱和树脂(UPR)、丁苯橡胶(SBR)、丁苯胶乳(SBL)、热塑性丁苯橡胶(SBS)等产品,可以说苯乙烯是化学工业中最重要的单体之一。

4. smp芯片

CMP,即Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光。CMP技术所采用的设备及消耗品包括:抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。

CMP技术的概念是1965年由Monsanto首次提出。该技术最初是用于获取高质量的玻璃表面,如军用望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中,而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后,CMP技术在世界各地迅速发展起来。

区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法,CMP通过化学的和机械的综合作用,从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

CMP抛光液是以高纯硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品,广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。

5. sm 电源

一、电压

电压(voltage),也称作电势差或电位差,是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。其大小等于单位正电荷因受电场力作用从A点移动到B点所做的功,电压的方向规定为从高电位指向低电位的方向。电压的国际单位制为伏特(V,简称伏),常用的单位还有毫伏(mV)、微伏(μV)、千伏(kV)等。此概念与水位高低所造成的“水压”相似。需要指出的是,“电压”一词一般只用于电路当中,“电势差”和“电位差”则普遍应用于一切电现象当中。

是电路中自由电荷定向移动形成电流的原因。

电势差(电压差)的定义:

电荷q 在电场中从A点移动到B点,电场力所做的功WAB与电荷量q 的比值,叫做AB两点间的电势差(AB两点间的电势之差,也称为电位差),用UAB表示,则有公式:

U=WAB/q

其中,WAB为电场力所做的功,q为电荷量。

同时也可以利用电势这样定义Uab=Va-Vb

如果电压的大小及方向都不随时间变化,则称之为稳恒电压或恒定电压,简称为直流电压,用大写字母U表示。如果电压的大小及方向随时间变化,则称为变动电压。对电路分析来说,一种最为重要的变动电压是正弦交流电压(简称交流电压),其大小及方向均随时间按正弦规律作周期性变化。交流电压的瞬时值要用小写字母u或u(t)表示。在电路中提供电压的装置是电源。

二、电动势

电动势是反映电源把其他形式的能转换成电能的本领的物理量。电动势使电源两端产生电压。在电路中,电动势常用E表示。单位是伏(V)。

在电源内部,非静电力把正电荷从负极板移到正极板时要对电荷做功,这个做功的物理过程是产生电源电动势的本质。非静电力所做的功,反映了其他形式的能量有多少变成了电能。因此在电源内部,非静电力做功的过程是能量相互转化的过程。

电动势的大小等于非静电力把单位正电荷从电源的负极,经过电源内部移到电源正极所作的功。如设W为电源中非静电力(电源力)把正电荷量q从负极经过电源内部移送到电源正极所作的功跟被移送的电荷量的比值,则电动势大小为:E=W/q。如:电动势为6伏说明电源把1库正电荷从负极经内电路移动到正极时非静电力做功6焦。有6焦的其他其形式能转换为电能。

电动势的方向规定为从电源的负极经过电源内部指向电源的正极,即与电源两端电压的方向相反。

6. sm系列电源芯片

SM总线控制器是主板控制芯片上的一个通信控制器。SM总线控制器的作用主要是通过一条廉价并且功能强大的总线(由两条线组成),来控制主板上的设备并收集相应的信息。SM总线控制器是1995年由Intel提出的,应用于移动PC和桌面PC系统中的低速率通讯。

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