pnp mos导通条件？

一、pnp mos导通条件？

MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。

一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。

使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表示关；以晶体管饱和，发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。

开关电路用于数字电路时，输出电位接近0V时表示0，输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态

二、pnp是什么mos管？

从来没有NPN型MOS管这种说法。MOS只有NMOS和PMOS两种。NPN和PNP是三极管的说法。

NMOS的G=0.5V，S=5V，D=0V，这种说法也是错误的。这个时候S和D已经互换。如果VT低于0.5V，此时NMOS导通。

需要指出的是，只有对称型的MOS才允许S和D互换。

三、npn和pnp和mos区别？

NP区别PNP和MOS的主要区别如下：

1. 构造不同：PNP和NPN是晶体管的两种基本类型，它们的构造不同。PNP晶体管由两个N型半导体夹一个P型半导体构成，而NPN晶体管则由两个P型半导体夹一个N型半导体构成。而MOS是金属氧化物半导体场效应管，它由金属栅极、氧化物和半导体基底构成。

2. 工作原理不同：PNP和NPN晶体管的工作原理基于PN结，即正负电荷在PN结处结合，形成基区。当PNP晶体管的基极接收到电流时，电子从基区进入发射区，从而形成电流放大。而NPN晶体管则是反过来的，当基极接收到电流时，空穴从基区进入发射区，从而形成电流放大。MOS则是利用栅极电压控制半导体中的电子浓度，从而控制电流。

3. 适用场合不同：PNP和NPN晶体管广泛应用于电子电路中的信号放大和开关控制，如放大器、开关、计时器和振荡器等。而MOS主要应用于数字电路中，如微处理器、存储器和数字信号处理器等。

4. 控制方式不同：PNP和NPN晶体管是通过电流控制来控制电路的，而MOS则是通过电压控制来控制电路的。MOS的电压控制方式使其功耗更低，速度更快，因此在数字电路中得到广泛应用。

综上所述，PNP、NPN和MOS的区别主要在于构造、工作原理、适用场合和控制方式等方面。

四、电动车控制器mos管是pnp还是npn？

电动车控制器的mos管没有NPN还是PNP区别，所谓的NPN,PNP是双极性三极管特有的，由半导体基材决定的。

而mos管只有漏极，源极和控制柵组成。

五、mos管如何区分pnp和npn？

MOS管通常分为N沟道MOSFET和P沟道MOSFET两种类型，它们的区别在于沟道中间的掺杂物类型和受电极控制状态的不同。因此，MOS管本身并不区分PNP和NPN极性。

PNP和NPN是指常规的三极管的极性类型，通常用于开关和放大电路中。对于MOS管，如果需要区分P型MOS管和N型MOS管，需要进行如下判断：

1. 外观判断：MOS管的封装一般有四个引脚，分别是源极(S)、漏极(D)、栅极(G)和反栅极(G_)，可以通过外观标注或封装颜色等方式区分P型MOS管和N型MOS管。

2. 导通状态：在电路中，连接一个PNP型晶体管时，在基极和发射极之间存在电流流动，而连接一个NPN型晶体管时，在基极和集电极之间存在电流流动。同样，在连接MOS管时，P型MOS管在正偏压下可以导通，而N型MOS管在负偏压下可以导通。

3. datasheet参数：在查询MOS管的datasheet时，可以查看是否标注了“P-channel MOSFET”或“N-channel MOSFET”等字样来区分P型MOS管和N型MOS管。

需要注意的是，虽然MOS管本身并不区分PNP和NPN极性，但在实际电路应用中，MOS管和三极管的工作原理以及接线方式等存在较大的区别，不可以混淆使用。

六、mos管npn和pnp导通条件？

导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。

接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流。

七、mos管npn和pnp的开启电压？

MOS管只有N沟道和P沟道的，npn和pnp的管子是三极管。

就MOS管而言，开启电压贴片低压2.5v就可以开启，直插的话需要10.5v以上才可以开启。

八、mos管怎么被控制？

MOS管如何精准控制电路电流，MOS管即可用于放大电流，又可以作为可变电阻，还能用作电子开关，现已广泛应用于电子设备中。而在使用过程中，MOS管是通过加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

MOS管是电压控制器件，也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。市面上最常见的是增强型N沟通MOS管，厂家可以用一个电压来控制G的电压，MOS管导通电压一般在2-4V，不过要完全控制，这个值要上升到10V左右。

九、mos管控制的直流电路算开关电源吗？

不算

MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。

　一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

十、开关电源烧mos原因？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏