防雷图纸属于电气专业吗？

一、防雷图纸属于电气专业吗？

答:属于。防雷接地工程是属电气专业范畴。

防雷接地工程由谁来做有两种情况：

一是由总承包方施工；

二是由总承包方分包给安装公司施工。希望对你有帮助。

二、电气防雷措施有哪些？

电气防雷措施有：

（一）为了避免由雷电所引起的静电感应造成火花放电，必须将保护的金属部分可靠地接地（电线和设备的导电部分除外）。

（二）为了避免由雷电所引起的电磁感应使闭合回路中缺口处发生火花，必须使处在雷电流的电磁场中的金属物件具有良好的接触而形成闭合回路。

（三）为了避免当雷电放电时在避雷针附近的电缆和电气设备保护接地装置形成高电位。而造成触电或火灾及爆炸危险，除了电缆的金属外此必须接地外，电缆和电气设备保护接地装置应与避雷针的接地体的距离不小于是10米。

三、防雷接地是属于室外电气吗？

防雷接地分项工程属于建筑电气分部工程建筑电气分部工程共包括七个分项工程，具体如下：

1、室外电气；

2、变配电室；

3、供电干线；

4、电气动力；

5、电气照明安装；

6、备用和不间断电源安装；

7、防雷接地安装。

四、室外电气管道防雷要求？

为防雷装置专设引下线时，引下线数量不应少于两根。引下线应沿建筑物四周均匀或对称布置，其间距不应大于25m。当仅利用建筑物四周的钢柱或柱子钢筋作为引下线时，可按跨度设引下线，但引下线的平均间距不应大于25m，每根引下线的冲击接地电阻不宜大于30Ω，其接地装置宜与电气设备等接地装置共用。防雷的接地装置宜与埋地金属管道相连。当不共用、不相连时，两者间在地中的距离不应小于2m。在共用接地装置与埋地金属管道相连的情况下，接地装置宜围绕建筑物敷设成环形接地体。

防雷电波侵入的措施应符合下列要求。

对电缆进出线，应在进出端将电缆的金属外皮、钢管等与电气设备接地相连。当电缆转换为架空线时，应在转换处装设避雷器、电缆金属外皮和绝缘子铁脚、金具等应连在一起接地，其冲击接地电阻不宜大于30Ω。

对低压架空进出线，应在进出处装设避雷器并与绝缘子铁脚、金具连在一起接到电气设备的接地装置上。当多回路架空进出线时，可仅在母线或总配电箱处装设一组避雷器或其他类型的过电压保护器，但绝缘子铁脚、金具仍应接到接地装置上。

进出建筑物的架空金属管道，在进出处应就近接到防雷或电气设备的接地装置上或独自接地，其冲击接地电阻不宜大于30Ω。

五、LP在电气防雷图纸啥意思？

防雷建筑工程图纸上lp是指防雷线。

防雷资质全称防雷工程专业资质，源于2005年1月28日中国气象局第10号令《防雷工程专业资质管理法》，资质分设计资质和施工资质两类，资质等级分为甲、乙、丙三级。

六、防雷接地的电气连接的要求？

（1）要求钢筋混凝土电杆自然接地电阻值不大于30Ω，如线路在居民区，并且电杆自然接地电阻超过30Ω，则应根据地质情况加设角钢垂直接地。

（2）电力线路与通信线、电力线等重要设施交叉跨越时，交叉档两端应采用角钢垂直接地。

（3）在雷电频繁区域，10kV架空绝缘线路宜视需要每隔200～500米设置避雷器并应加装防雷金具。架空配电线路与电缆连接处应安装线路避雷器。

（4）10kV并联电容器、柱上断路器、电缆终端头的防雷装置采用氧化锌避雷器。

（5）对于10kV架空线路独立安装的避雷器应优先选用跌落式避雷器。

七、公牛防雷插座真的防雷吗?防雷插座真的防雷吗？

可以

公牛防雷插座是能防雷的，防雷插座现在已经用得比较广泛了，技术也越来越成熟，防雷效果的话肯定还是有的，不过现在市场上的公牛防雷插座杂牌太多，很多防雷插座的浪涌保护器件不合格，反而增加了设备短路的风险，建议一定要买正品的公牛牌防雷插座，这样才能达到防雷效果。

八、电气防雷接地镀铜扁钢可以和钢筋焊接吗？

镀铜扁钢，注意这里是扁钢，钢是可以和钢筋正常焊接的， 扁钢镀铜主要是抗腐蚀外，电导率等还有就是焊接工艺简单 。

九、防雷接地与电气保护接地共用时？

您好，在一些特殊情况下，防雷接地和电气保护接地可以共用。但是在大多数情况下，这两种接地应该分开建立，以确保电气设备和人员的安全。

共用防雷接地和电气保护接地时，需要考虑以下因素：

1.接地电阻的要求不同，防雷接地要求电阻较小，电气保护接地要求电阻较大，共用时需要满足两者要求。

2.防雷接地和电气保护接地的位置不同，防雷接地应建立在靠近设备的位置，而电气保护接地应建立在电源或配电室附近的位置，共用时需要考虑两者的位置关系。

3.共用时需要注意接地电缆的选择和布线，以避免干扰和电流回流问题。

综上所述，虽然防雷接地和电气保护接地可以共用，但需要满足一定的要求和条件，建议在实际工程中根据具体情况进行综合考虑和设计。

十、电气中rd是防雷接地电阻？

rd是漏极电阻。漏极，栅极（Gate——G，也叫做门极），源极(Source——S)，漏极（Drain——D）场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。

保护IGBT的续流二极管的开关特性也受栅极电阻的影响，并限制栅极阻抗的最小值。这意味着IGBT的导通开关速度只能提高到一个与所用续流二极管反向恢复特性相兼容的水平。

栅极电阻的减小不仅增大了IGBT的过电压应力，而且由于IGBT模块中diC/dt的增大，也增大了续流二极管的过压极限。