楼主问题意思是：假设晶体管T工作在放大区，由近似分析得到IBQ，用T输出特性曲线和输出回路负载线以及IBQ得到的交点却又恰好可能在饱和区，这样的前后矛盾。
如果楼主意思是我所描述的，
那么
第一：图解法是最为准确的解法，精度取决于你晶体管输入、输出特性曲线的测试。
图解法整个流程应该是：
输入回路负载线与T输入特性曲线交点求出IBQ，
再由输出特性曲线以及输出回路负载线及IBQ读出晶体管是工作在什么状态，以及UCE和ICQ
这样精度是高，但是测试输入输出特性曲线的过程麻烦。
第二：近似分析
假定T是在放大区，IC≈βIB（忽略了一些因素所得，学半导体原理的同学才能完全搞清楚，我也不懂，学模电更多是学怎么用，及知道怎么近似，近似是忽略什么）
UBE≈0.7V（其实是在0.7V左右，如果输入回路直流电源够大，可以直接将UBE压降看成0.7V，如果电源更大，甚至可以忽略，这是看你要的精度）
再结合输入回路电路图即可求出IB，
再求出IC，
结合输出回路电路图即可求出UCE。
结合UCE判断你的假设正不正确。
这样能快速分析晶体管的状态，但是存在着一定无处，有可能分析出来的结果在临界饱和或者截止附近，容易判断出错。如果是这种情况的话，要么还是用图解法再分析一次，要么就用上你的电表测试吧。
个人觉得，楼主是将两种方法混在了一起（也不是说不能这样），但你既然用了近似分析，就要承担近似分析带来的误差，如果出现楼主所描述情况，最好就单纯图解法，或者实际量一下。
来自一个模电初学者的理解。。。。
老司机们轻喷。。。。
（PS：楼主最后结合图解得出ICQ，UCE和直接输出回路分析得出ICQ，UCE是一样道理，如果得出UCE小于UBE（小的程度大一点，那么误差可以忽略），认为就是在饱和区了）
晶体管放大器电路问题
偏置电压是直流电压，信号电压（在交流放大电路中）是交流电压。这两个电压都加在PN结上。由于电路构成不同，这两个电压有的是串联，也有的是并联。这两个电压共同作用，相当于在直流电压的基础上叠加一个交流电压，这个电压的方向不随时间变化而大小是随时间变化的。
分析电路中各硅晶体管的工作状态(放大,饱和,截止或损坏)
这个要进行分析一下才可以得出结论，这样在你以后的学习中手很有帮助的。三极管在正常的工作条件下，其发射结是正偏，集电结为反偏。
图1.基极电压高于发射机电压0.7V，其发射机时处于正偏，但其集电极电压低于基极，也处于正偏，因此图1的三极管为饱和；
图2.发射结反偏，三极管肯定是截止了；
图3.发射结正偏，但其远超0.7V的正偏电压，唯一的可能是是发射结断开了，那就是损坏；
图4.发射结正偏，集电结反偏，三极管就处在正常的工作状态。